摘要

浮法拋光技術(shù)首先出現(xiàn)于日本，是加工超光滑表面的先進技術(shù)之一。本文介紹用浮法拋光加工超光滑表面的機械結(jié)構(gòu)和加工 過程，與傳統(tǒng)的瀝青拋光方法進行比較，分析材料去除機理。最后簡單介紹我國研究浮法拋光技術(shù)的進展。

正文

一、浮法拋光技術(shù)的產(chǎn)生與現(xiàn)狀

光學(xué)零件的加工基本包括切割成型、研磨、拋光三道工序；最終的光學(xué)表面質(zhì)量由拋光決定，因此拋光是最重要的工序。通常高質(zhì)量光滑表面的拋光是以瀝青或纖維等彈性材料作磨盤，配以拋光液或研磨膏來達到技術(shù)要求。

近年來，光學(xué)及微電子學(xué)極大地推動了光學(xué)加工技術(shù)的發(fā)展。大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路對所用基片(通常為硅、鍺等材料)的表面精度提出了很高的要求；短波段光學(xué)的發(fā)展尤其是強激光技術(shù)的出現(xiàn)，對光學(xué)元件表面粗糙度的要求極為苛刻。表面粗糙度低于1nm rms的超光滑表面加工技術(shù)已成為光學(xué)及微電子學(xué)基礎(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的重要課題?？總鹘y(tǒng)的經(jīng)驗依賴性的光學(xué)加工方法是不能滿足日益發(fā)展的光學(xué)、電子學(xué)要求的。國內(nèi)外已有許多科學(xué)家在探索加工高精度超光滑表面的各種技術(shù)。一般原子直徑小于0.3nm，而超光滑表面微觀起伏的均方根值為幾個原子的尺寸，因此實現(xiàn)超光滑表面加工的關(guān)鍵在于實現(xiàn)表面材料原子量級的去除。

1997年，日本大坂大學(xué)的難波義治教授發(fā)明了浮法拋光(Float Polishing)加工超光滑表面技術(shù)。通過使用這項技術(shù)，可使剛玉單晶的平面面形達到λ/20，表面粗糙度低于1nm Rz。1987年的研究報告表明，使用浮法技術(shù)進行多種材料的拋光實驗，對φ180mm的工作，可以達到表面粗糙度優(yōu)于o.2nm rms，平面度優(yōu)于λ/20=0.03μm。

目前在日本，浮法拋光技術(shù)應(yīng)用很廣泛，尤其是用于錄音機、錄像機或計算機的磁頭生產(chǎn)；每年有2500萬個磁頭就是采用這項技術(shù)制造的。近年來，德國也在研究類似拋光技術(shù)。德國Ulm大學(xué)的歐威(O. Weis)研究表明，對白寶石材料的φ7mm的工件進行拋光，30分鐘后達到表面粗糙度小于0.05nm的結(jié)果。

將浮法拋光樣品與普通拋光樣品比較可以發(fā)現(xiàn)浮法拋光有許多優(yōu)點。普通瀝青式拋光使用硬度大于工件的磨料，也可以獲得所謂超光滑表面的粗糙度指標(biāo)，但對磨盤的平面度的修正很有講究，這影響到被拋光工件的面形。普通拋光后的工件，其邊緣幾何尺寸總不太好，經(jīng)常有塌邊或翹邊現(xiàn)象；并且在高倍顯微鏡下可以看到表面有塑性畸變層。

應(yīng)用浮法拋光法技術(shù)獲得的超光滑表面，不僅具有較好的表面粗糙度和邊緣幾何形狀，而且拋光晶體面有理想完好的晶格，亞表面沒有破壞層，并且由拋光引起的表面殘余應(yīng)力極小。